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基底直流自偏压的提高能增强离子轰击效应和增加氧原子/氧离子密度，因而是决定刻蚀速率的一个关键因素。
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仅简单地通过调整液晶光闪的工作电压，使其处于非线性变换态即可完成对图像的实时微分运算。
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在射频偏压辅助下，氧等离子体成功地对金刚石膜进行了刻蚀，刻蚀速率最高可达8μm/h，偏压频率和直流自偏压大小均会影响刻蚀速率和刻蚀表面形貌。
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